N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123

Nr. stoc RS: 445-2297Producator: InfineonCod de producator: BSS123
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1.78 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Latime

1.3mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123LT1GProducator: onsemi
€ 0,169Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123
onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123Producator: onsemi
€ 0,29Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123LT1GProducator: onsemi
€ 0,169Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123
onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123Producator: onsemi
€ 0,29Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1.78 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.9mm

Latime

1.3mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123LT1GProducator: onsemi
€ 0,169Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123
onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123Producator: onsemi
€ 0,29Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)