N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP88H6327XTSA1

Nr. stoc RS: 218-2981Producator: InfineonCod de producator: BSP88H6327XTSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

350 mA

Maximum Drain Source Voltage

240 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 160,00

€ 0,16 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 190,40

€ 0,19 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP88H6327XTSA1

€ 160,00

€ 0,16 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 190,40

€ 0,19 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP88H6327XTSA1
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

350 mA

Maximum Drain Source Voltage

240 V

Serie

SIPMOS®

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe