Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP320SH6327XTSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
SIPMOS®
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 65,00
€ 0,65 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 78,65
€ 0,786 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 65,00
€ 0,65 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 78,65
€ 0,786 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,65 | € 6,50 |
| 250 - 490 | € 0,61 | € 6,10 |
| 500 - 990 | € 0,58 | € 5,80 |
| 1000+ | € 0,53 | € 5,30 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
SIPMOS®
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse