Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP171PH6327XTSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
SIPMOS®
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalii produs
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,60
€ 0,66 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 7,99
€ 0,799 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 6,60
€ 0,66 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 7,99
€ 0,799 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,66 | € 6,60 |
| 100 - 240 | € 0,62 | € 6,20 |
| 250 - 490 | € 0,60 | € 6,00 |
| 500 - 990 | € 0,56 | € 5,60 |
| 1000+ | € 0,51 | € 5,10 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
SIPMOS®
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalii produs
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse