Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-223 BSP135H6327XTSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
SIPMOS®
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.7 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 520,00
€ 0,52 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 629,20
€ 0,629 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 520,00
€ 0,52 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 629,20
€ 0,629 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,52 | € 520,00 |
| 2000 - 2000 | € 0,49 | € 490,00 |
| 3000+ | € 0,45 | € 450,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
SIPMOS®
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.7 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse