Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 15.2 A, 200 V, 8-Pin TDSON BSC900N20NS3GATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TDSON
Serie
OptiMOS™ 3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,80
€ 1,28 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 15,23
€ 1,523 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 12,80
€ 1,28 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 15,23
€ 1,523 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,28 | € 12,80 |
| 50 - 90 | € 1,21 | € 12,10 |
| 100 - 240 | € 1,15 | € 11,50 |
| 250 - 490 | € 1,08 | € 10,80 |
| 500+ | € 0,68 | € 6,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TDSON
Serie
OptiMOS™ 3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse