Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V, 8-Pin TDSON BSC22DN20NS3GATMA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
225 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,20
€ 0,61 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 14,76
€ 0,738 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 12,20
€ 0,61 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 14,76
€ 0,738 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
225 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse