Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON BSC035N10NS5ATMA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.35mm
Lungime
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.1mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5.750,00
€ 1,15 Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)
€ 6.957,50
€ 1,392 Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)
5000
€ 5.750,00
€ 1,15 Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)
€ 6.957,50
€ 1,392 Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
5000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.35mm
Lungime
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.1mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse