Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 137 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
137 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TDSON
Serie
OptiMOS™ 5
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.35mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 21,20
€ 2,12 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 25,23
€ 2,523 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 21,20
€ 2,12 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 25,23
€ 2,523 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 2,12 | € 21,20 |
| 50 - 90 | € 2,00 | € 20,00 |
| 100 - 240 | € 1,89 | € 18,90 |
| 250 - 490 | € 1,79 | € 17,90 |
| 500+ | € 1,65 | € 16,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
137 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TDSON
Serie
OptiMOS™ 5
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.35mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse