Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin TDSON BSC010N04LSATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 18,20
€ 1,82 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 21,66
€ 2,166 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 18,20
€ 1,82 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 21,66
€ 2,166 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,82 | € 18,20 |
| 50 - 90 | € 1,71 | € 17,10 |
| 100 - 240 | € 1,62 | € 16,20 |
| 250 - 490 | € 1,54 | € 15,40 |
| 500+ | € 1,42 | € 14,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse