Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.295 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
€ 130,50
€ 2,61 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 157,90
€ 3,158 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 130,50
€ 2,61 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 157,90
€ 3,158 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola | 
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,61 | € 13,05 | 
| 125 - 245 | € 2,44 | € 12,20 | 
| 250 - 495 | € 2,24 | € 11,20 | 
| 500+ | € 2,05 | € 10,25 | 
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.295 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon


