Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 17 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R160M1TXKSA1

Nr. stoc RS: 349-381Producator: InfineonCod de producator: AIMZH120R160M1TXKSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

AIM

Tip pachet

PG-TO247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 10,02

€ 10,02 Buc. (fara TVA)

€ 11,92

€ 11,92 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 17 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R160M1TXKSA1

€ 10,02

€ 10,02 Buc. (fara TVA)

€ 11,92

€ 11,92 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 17 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R160M1TXKSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 10,02
10 - 99€ 8,97
100 - 499€ 8,21
500 - 999€ 7,57
1000+€ 6,75

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

AIM

Tip pachet

PG-TO247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe