Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R120M1TXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serie
AIM
Tip pachet
PG-TO247-4
Timp montare
Through Hole
Numar pini
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,60
€ 10,60 Buc. (fara TVA)
€ 12,61
€ 12,61 Buc. (cu TVA)
1
€ 10,60
€ 10,60 Buc. (fara TVA)
€ 12,61
€ 12,61 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 10,60 |
| 10 - 99 | € 9,48 |
| 100 - 499 | € 8,68 |
| 500 - 999 | € 8,00 |
| 1000+ | € 7,13 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serie
AIM
Tip pachet
PG-TO247-4
Timp montare
Through Hole
Numar pini
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse