Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R080M1TXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serie
AIM
Tip pachet
PG-TO247-4
Timp montare
Through Hole
Numar pini
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,76
€ 12,76 Buc. (fara TVA)
€ 15,18
€ 15,18 Buc. (cu TVA)
1
€ 12,76
€ 12,76 Buc. (fara TVA)
€ 15,18
€ 15,18 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,76 |
| 10 - 99 | € 11,39 |
| 100 - 499 | € 10,42 |
| 500 - 999 | € 9,58 |
| 1000+ | € 8,53 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serie
AIM
Tip pachet
PG-TO247-4
Timp montare
Through Hole
Numar pini
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse