Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R020M1TXKSA1

Nr. stoc RS: 349-373Producator: InfineonCod de producator: AIMZH120R020M1TXKSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

AIM

Tip pachet

PG-TO247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 35,43

€ 35,43 Buc. (fara TVA)

€ 42,16

€ 42,16 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R020M1TXKSA1

€ 35,43

€ 35,43 Buc. (fara TVA)

€ 42,16

€ 42,16 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R020M1TXKSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 35,43
10 - 99€ 31,59
100+€ 28,85

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

AIM

Tip pachet

PG-TO247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe