Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 32 A, 750 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R060M1HXKSA1

Nr. stoc RS: 348-944Producator: InfineonCod de producator: AIMZA75R060M1HXKSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

32 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Tip pachet

PG-TO247-4

Serie

AIM

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 10,80

€ 10,80 Buc. (fara TVA)

€ 12,85

€ 12,85 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 32 A, 750 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R060M1HXKSA1

€ 10,80

€ 10,80 Buc. (fara TVA)

€ 12,85

€ 12,85 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 32 A, 750 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R060M1HXKSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 10,80
10 - 99€ 9,66
100 - 499€ 8,85
500 - 999€ 8,15
1000+€ 7,26

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

32 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Tip pachet

PG-TO247-4

Serie

AIM

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe