Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 24 A, 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R090M1HXTMA1

Nr. stoc RS: 349-212Producator: InfineonCod de producator: AIMBG75R090M1HXTMA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Serie

AIM

Tip pachet

PG-TO263-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

Malaysia

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 7,83

€ 7,83 Buc. (fara TVA)

€ 9,32

€ 9,32 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 24 A, 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R090M1HXTMA1

€ 7,83

€ 7,83 Buc. (fara TVA)

€ 9,32

€ 9,32 Buc. (cu TVA)

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 24 A, 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R090M1HXTMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 7,83
10 - 99€ 7,00
100 - 499€ 6,43
500 - 999€ 5,92
1000+€ 5,28

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Serie

AIM

Tip pachet

PG-TO263-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

Malaysia

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe