Infineon AIK SiC N-Channel MOSFET, 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1

Nr. stoc RS: 349-189Producator: InfineonCod de producator: AIKBE50N65RF5ATMA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

AIK

Tip pachet

PG-TO263-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

Malaysia

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 10,35

€ 10,35 Buc. (fara TVA)

€ 12,52

€ 12,52 Buc. (cu TVA)

Infineon AIK SiC N-Channel MOSFET, 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1

€ 10,35

€ 10,35 Buc. (fara TVA)

€ 12,52

€ 12,52 Buc. (cu TVA)

Infineon AIK SiC N-Channel MOSFET, 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 9€ 10,35
10 - 99€ 9,24
100 - 499€ 8,46
500 - 999€ 7,78
1000+€ 6,91

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

AIK

Tip pachet

PG-TO263-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

Malaysia

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe