N-Channel MOSFET Transistor, 19 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild HUF75309P3

Nr. stoc RS: 294-9698Producator: Fairchild SemiconductorCod de producator: HUF75309P3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

55 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.67mm

Latime

4.83mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

9.65mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB FQP20N06
€ 1,368Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 19 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild HUF75309P3
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 19 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild HUF75309P3
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB FQP20N06
€ 1,368Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

55 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.67mm

Latime

4.83mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

9.65mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB FQP20N06
€ 1,368Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)