N-Channel MOSFET Transistor, 7.6 A, 200 V, 3-Pin D-PAK Fairchild FQD10N20LTF

Nr. stoc RS: 671-0930Producator: Fairchild SemiconductorCod de producator: FQD10N20LTF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.6 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D-PAK

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.6mm

Latime

6.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

2.3mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin DPAK FQD12N20LTM
€ 1,416Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 7.6 A, 200 V, 3-Pin D-PAK Fairchild FQD10N20LTF

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 7.6 A, 200 V, 3-Pin D-PAK Fairchild FQD10N20LTF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin DPAK FQD12N20LTM
€ 1,416Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.6 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D-PAK

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.6mm

Latime

6.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

2.3mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin DPAK FQD12N20LTM
€ 1,416Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)