N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDV303N

Nr. stoc RS: 354-4890Producator: Fairchild SemiconductorCod de producator: FDV303N
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

680 mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

450 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+8 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

1.64 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.92mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.93mm

Detalii produs

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 FDV303N
€ 0,121Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDV303N
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDV303N

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 FDV303N
€ 0,121Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

680 mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

450 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+8 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

1.64 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.92mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.93mm

Detalii produs

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 FDV303N
€ 0,121Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)