Dual N-Channel MOSFET Transistor, 6.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Fairchild FDS6982

Nr. stoc RS: 671-0661Producator: Fairchild SemiconductorCod de producator: FDS6982
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.3 A, 8.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ, 28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

18.5 nC @ 5 V, 8.5 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Dual N-Channel MOSFET, 6.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6982AS
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 6.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Fairchild FDS6982

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 6.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Fairchild FDS6982

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Dual N-Channel MOSFET, 6.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6982AS
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.3 A, 8.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ, 28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

18.5 nC @ 5 V, 8.5 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Dual N-Channel MOSFET, 6.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6982AS
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)