Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM ZXMS6004DT8TA

Nr. stoc RS: 738-5200Producator: DiodesZetexCod de producator: ZXMS6004DT8TA
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

IntelliFET

Tip pachet

SM

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Latime

3.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

4.95mm

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Inaltime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Tara de origine

Germany

Detalii produs

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 8,25

€ 1,65 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,82

€ 1,964 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM ZXMS6004DT8TA
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,25

€ 1,65 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,82

€ 1,964 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM ZXMS6004DT8TA
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 1,65€ 8,25
50 - 95€ 1,30€ 6,50
100 - 245€ 1,06€ 5,30
250 - 495€ 0,99€ 4,95
500+€ 0,96€ 4,80

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

IntelliFET

Tip pachet

SM

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Latime

3.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

4.95mm

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Inaltime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Tara de origine

Germany

Detalii produs

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe