Diodes Inc N-Channel MOSFET, 2.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
225 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 390,00
€ 0,13 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 464,10
€ 0,155 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 390,00
€ 0,13 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 464,10
€ 0,155 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
225 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse