Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.6 A, 4.7 A, 60 V, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ, 125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.4 nC @ 10 V, 24.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
Standard
20
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ, 125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.4 nC @ 10 V, 24.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse