Diodes Inc P-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 ZVP2106ASTZ
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.77mm
Inaltime
4.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,50
€ 0,75 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,08
€ 0,908 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 7,50
€ 0,75 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,08
€ 0,908 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.77mm
Inaltime
4.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse