Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 100 V, 3-Pin SOT-223 ZVNL110GTA

Nr. stoc RS: 885-5675PProducator: DiodesZetexCod de producator: ZVNL110GTA
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

3.55mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.55mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.65mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 100 V, 3-Pin SOT-223 ZVNL110GTA
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 100 V, 3-Pin SOT-223 ZVNL110GTA

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

3.55mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.55mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.65mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe