Diodes Inc N-Channel MOSFET, 260 mA, 240 V, 3-Pin E-Line ZVN4424A

Nr. stoc RS: 157-4619PProducator: DiodesZetexCod de producator: ZVN4424A
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Drain Source Voltage

240 V

Tip pachet

E-Line

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

750 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-40 V, +40 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

2.41mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.77mm

Inaltime

4.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 51,00

€ 1,02 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 61,71

€ 1,234 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 260 mA, 240 V, 3-Pin E-Line ZVN4424A
Selectati tipul de ambalaj

€ 51,00

€ 1,02 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 61,71

€ 1,234 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 260 mA, 240 V, 3-Pin E-Line ZVN4424A

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Banda
50 - 95€ 1,02€ 5,10
100 - 245€ 0,79€ 3,95
250 - 495€ 0,74€ 3,70
500+€ 0,71€ 3,55

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Drain Source Voltage

240 V

Tip pachet

E-Line

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

750 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-40 V, +40 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

2.41mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.77mm

Inaltime

4.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe