Diodes Inc N-Channel MOSFET, 200 mA, 100 V, 3-Pin TO-92 ZVN3310A

Nr. stoc RS: 823-1820Producator: DiodesZetexCod de producator: ZVN3310A
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-92

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Maximum Power Dissipation

625 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

2.41mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.77mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 8,60

€ 0,43 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 10,41

€ 0,52 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 200 mA, 100 V, 3-Pin TO-92 ZVN3310A
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,60

€ 0,43 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 10,41

€ 0,52 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 200 mA, 100 V, 3-Pin TO-92 ZVN3310A

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
20 - 20€ 0,43€ 8,60
40 - 180€ 0,41€ 8,20
200 - 980€ 0,38€ 7,60
1000 - 1980€ 0,37€ 7,40
2000+€ 0,34€ 6,80

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-92

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Maximum Power Dissipation

625 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

2.41mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.77mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe