Diodes Inc N-Channel MOSFET, 450 mA, 60 V, 3-Pin E-Line ZVN2106A

Nr. stoc RS: 263-857Producator: DiodesZetexCod de producator: ZVN2106A
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

450 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

E-Line

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Latime

2.41mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.77mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3,40

€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 4,05

€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 450 mA, 60 V, 3-Pin E-Line ZVN2106A
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,40

€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 4,05

€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 450 mA, 60 V, 3-Pin E-Line ZVN2106A
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 0,68€ 3,40
50 - 195€ 0,45€ 2,25
200 - 995€ 0,37€ 1,85
1000 - 1995€ 0,32€ 1,60
2000+€ 0,28€ 1,40

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

450 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

E-Line

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Latime

2.41mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.77mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe