Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13

Nr. stoc RS: 146-4775PProducator: DiodesZetexCod de producator: DMTH6016LSD-13
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

DMT

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Latime

3.95mm

Lungime

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 @ 10 V nC

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

1.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 6,20

€ 0,62 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 7,38

€ 0,738 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,20

€ 0,62 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 7,38

€ 0,738 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

DMT

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

28 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Latime

3.95mm

Lungime

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 @ 10 V nC

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

1.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe