Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET, 5.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMP4025LSD-13
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOIC
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.14 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Inaltime
1.5mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,90
€ 0,79 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,56
€ 0,956 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 7,90
€ 0,79 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,56
€ 0,956 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,79 | € 7,90 |
| 30 - 120 | € 0,57 | € 5,70 |
| 130 - 620 | € 0,47 | € 4,70 |
| 630 - 1240 | € 0,44 | € 4,40 |
| 1250+ | € 0,43 | € 4,30 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOIC
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.14 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Inaltime
1.5mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse