Diodes Inc P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMP31D0UFB4-7B

Nr. stoc RS: 770-5171PProducator: DiodesZetexCod de producator: DMP31D0UFB4-7B
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

760 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

X2-DFN1006

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

920 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1.08mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.5 nC @ 8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

0.675mm

Transistor Material

Si

Inaltime

0.35mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMP31D0UFB4-7B
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMP31D0UFB4-7B

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

760 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

X2-DFN1006

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

920 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1.08mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.5 nC @ 8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

0.675mm

Transistor Material

Si

Inaltime

0.35mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe