Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.08 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 138,00
€ 0,23 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 166,98
€ 0,278 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
600
€ 138,00
€ 0,23 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 166,98
€ 0,278 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
600
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,23 | € 11,50 |
| 1500+ | € 0,22 | € 11,00 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.08 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs


