Diodes Inc P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMP3160L-7

Nr. stoc RS: 822-2649PProducator: DiodesZetexCod de producator: DMP3160L-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

1.08 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 138,00

€ 0,23 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 166,98

€ 0,278 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMP3160L-7
Selectati tipul de ambalaj

€ 138,00

€ 0,23 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 166,98

€ 0,278 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMP3160L-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
600 - 1450€ 0,23€ 11,50
1500+€ 0,22€ 11,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

1.08 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe