Diodes Inc P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin SOP DMP3056LSS-13
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,68
€ 0,387 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,68
€ 0,387 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse