Diodes Inc P-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 DMP2165UW-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 150,00
€ 0,05 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 178,50
€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 150,00
€ 0,05 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 178,50
€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse