Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2160U-7

Nr. stoc RS: 751-4247Producator: DiodesZetexCod de producator: DMP2160U-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 8,50

€ 0,17 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 10,28

€ 0,206 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2160U-7
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,50

€ 0,17 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 10,28

€ 0,206 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2160U-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
50 - 550€ 0,17€ 8,50
600 - 1450€ 0,08€ 4,00
1500 - 2450€ 0,07€ 3,50
2500 - 4950€ 0,07€ 3,50
5000+€ 0,07€ 3,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe