Diodes Inc P-Channel MOSFET, 6.2 A, 20 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP2066UFDE-7

Nr. stoc RS: 770-5159PProducator: DiodesZetexCod de producator: DMP2066UFDE-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

U-DFN2020

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

2.03 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

2.05mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.05mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.4 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.58mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 6.2 A, 20 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP2066UFDE-7
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 6.2 A, 20 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP2066UFDE-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

U-DFN2020

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

2.03 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

2.05mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.05mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.4 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.58mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe