Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2035U-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
62 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
810 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15.4 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 72,00
€ 0,12 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 85,68
€ 0,143 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
600
€ 72,00
€ 0,12 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 85,68
€ 0,143 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
600
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,12 | € 6,00 |
| 1500+ | € 0,09 | € 4,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
62 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
810 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15.4 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse