Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V, 8-Pin SOP DMP2022LSS-13

Nr. stoc RS: 822-2615Producator: DiodesZetexCod de producator: DMP2022LSS-13
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOP

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Transistor Material

Si

Latime

3.95mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56.9 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V, 8-Pin SOP DMP2022LSS-13
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V, 8-Pin SOP DMP2022LSS-13

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOP

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Transistor Material

Si

Latime

3.95mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56.9 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe