Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.85mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 84,00
€ 0,21 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 101,64
€ 0,254 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
400
€ 84,00
€ 0,21 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 101,64
€ 0,254 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
400
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 400 - 975 | € 0,21 | € 5,25 |
| 1000+ | € 0,16 | € 4,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.85mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse