Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,00
€ 0,60 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,714 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 12,00
€ 0,60 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,714 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,60 | € 12,00 |
| 100 - 480 | € 0,42 | € 8,40 |
| 500 - 980 | € 0,37 | € 7,40 |
| 1000 - 2480 | € 0,33 | € 6,60 |
| 2500+ | € 0,29 | € 5,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse