Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN65D8LDW-7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,00
€ 0,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 8,47
€ 0,085 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 7,00
€ 0,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 8,47
€ 0,085 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse