Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 8,75
€ 0,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 10,59
€ 0,085 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
125
€ 8,75
€ 0,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 10,59
€ 0,085 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
125
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 125 - 225 | € 0,07 | € 1,75 |
| 250 - 600 | € 0,07 | € 1,75 |
| 625+ | € 0,06 | € 1,50 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Detalii produs


