Diodes Inc N-Channel MOSFET, 300 mA, 30 V, 3-Pin DFN DMN32D2LFB4-7

Nr. stoc RS: 822-2570Producator: DiodesZetexCod de producator: DMN32D2LFB4-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DFN

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1.05mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

0.65mm

Transistor Material

Si

Inaltime

0.35mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 300 mA, 30 V, 3-Pin DFN DMN32D2LFB4-7
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 300 mA, 30 V, 3-Pin DFN DMN32D2LFB4-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DFN

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1.05mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

0.65mm

Transistor Material

Si

Inaltime

0.35mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe