Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2005K-7

Nr. stoc RS: 822-2545Producator: DiodesZetexCod de producator: DMN2005K-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Latime

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 10,50

€ 0,21 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 12,70

€ 0,254 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2005K-7
Selectati tipul de ambalaj

€ 10,50

€ 0,21 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 12,70

€ 0,254 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2005K-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
50 - 450€ 0,21€ 10,50
500 - 1200€ 0,12€ 6,00
1250 - 4950€ 0,09€ 4,50
5000+€ 0,09€ 4,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Latime

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe