Diodes Inc N-Channel MOSFET, 500 mA, 12 V, 3-Pin X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
X2-DFN0806
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
0.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.96 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 16,00
€ 0,16 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 19,04
€ 0,19 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
€ 16,00
€ 0,16 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 19,04
€ 0,19 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
X2-DFN0806
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
0.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.96 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse