Diodes Inc N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V, 3-Pin DPAK DMN10H099SK3-13
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.39mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.77V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,60
€ 0,43 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 10,41
€ 0,52 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 8,60
€ 0,43 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 10,41
€ 0,52 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.39mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.77V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse