Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMG7430LFG-7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.85mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,00
€ 0,16 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 4,84
€ 0,194 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
25
€ 4,00
€ 0,16 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 4,84
€ 0,194 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.85mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse