Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG6968U-7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
36 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,50
€ 0,18 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 5,44
€ 0,218 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 4,50
€ 0,18 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 5,44
€ 0,218 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
36 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse